APTM60H23FT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

APTM60H23FT1G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 5316pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 34 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： APTM60H23FT1G

描述：全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module

替代型号APTM60H23FT1G