APTGT50H60T1G

APTGT50H60T1G图片1
APTGT50H60T1G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 176 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.15nF @25V

额定功率Max 176 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 176000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTGT50H60T1G
型号: APTGT50H60T1G
描述:全 - 桥沟道+场站IGBT ?电源模块 Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT? Power Module

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