APT100GT120JRDQ4

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APT100GT120JRDQ4概述

迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from . It has a maximum collector emitter voltage of ±20 V. Its maximum power dissipation is 0.6 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single dual emitter configuration.

APT100GT120JRDQ4中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.85nF @25V

额定功率Max 570 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: APT100GT120JRDQ4
描述:迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

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