ARF446G

ARF446G图片1
ARF446G图片2
ARF446G图片3
ARF446G图片4
ARF446G图片5
ARF446G图片6
ARF446G图片7
ARF446G概述

RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

This RF amplifier from works in radio frequency environments and can be used to amplify and switch between electronic signals. Its maximum power dissipation is 230000 mW. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. Its maximum frequency is 65 MHz.

ARF446G中文资料参数规格
技术参数

频率 40.68 MHz

额定电流 6.5 A

耗散功率 230000 mW

漏源击穿电压 900V min

上升时间 5 ns

输出功率 140 W

增益 15 dB

输入电容Ciss 1500pF @300VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230000 mW

额定电压 900 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ARF446G
型号: ARF446G
描述:RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司