APTGT75DA170T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

APTGT75DA170T1G概述

升压斩波沟道+场截止IGBT ？电源模块 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT® Power Module

IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 130A 465W Chassis Mount SP1

得捷:
IGBT MODULE 1700V 130A 465W SP1

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 130A 12-Pin Case SP-1

安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 130A 12-Pin Case SP1

APTGT75DA170T1G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 6.8nF @25V

额定功率Max 465 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 465000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： APTGT75DA170T1G

描述：升压斩波沟道+场截止IGBT ？电源模块 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT® Power Module