APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 40A

输入电容Ciss 10552pF @25VVds

额定功率Max 390 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTM60A11FT1G
型号: APTM60A11FT1G
描述:相桥臂MOSFET功率模块 Phase leg MOSFET Power Module
替代型号APTM60A11FT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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