APTM50DHM65T3G

APTM50DHM65T3G概述

非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Asymmetrical 500V 51A 390W Chassis Mount SP3


得捷:
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 51A 16-Pin Case SP-3


APTM50DHM65T3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 10800pF @25VVds

额定功率Max 390 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTM50DHM65T3G
型号: APTM50DHM65T3G
描述:非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台