APT10M07JVFR参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT10M07JVFR概述

Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4Pin SOT-227

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 700000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes power mos v technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

APT10M07JVFR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 225 A

耗散功率 700 W

输入电容 21.6 nF

栅电荷 1.05 µC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 225 A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 18000pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT10M07JVFR

型号： APT10M07JVFR

制造商： Microsemi 美高森美

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4Pin SOT-227

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替代型号APT10M07JVFR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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