APTGT50X60T3G

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APTGT50X60T3G概述

APTGT50x 系列 600 V 80 A 沟槽 + 场截止 IGBT3 功率 模块 - SP3

This secure and fast infineon IGBT module from is perfect for your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 176000 mW. It is made in a hex configuration. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.

APTGT50X60T3G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 176000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.15nF @25V

额定功率Max 176 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 176000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTGT50X60T3G
描述:APTGT50x 系列 600 V 80 A 沟槽 + 场截止 IGBT3 功率 模块 - SP3

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