APTCV40H60CT1G

APTCV40H60CT1G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.15nF @25V

额定功率Max 176 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTCV40H60CT1G
型号: APTCV40H60CT1G
描述:全 - 桥的CoolMOS和沟道+场终止? IGBT功率模块 Full - Bridge CoolMOS & Trench + Field Stop? IGBT Power module

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