APTGLQ75H65T1G

APTGLQ75H65T1G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

输入电容Cies 4.62nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTGLQ75H65T1G
型号: APTGLQ75H65T1G
描述:Trans IGBT Module N-CH 650V 150A

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司