APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 139A

输入电容Ciss 9875pF @25VVds

额定功率Max 390 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTM10DHM09T3G
型号: APTM10DHM09T3G
描述:非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司