SP-1 N-CH 600V 36A
MOSFET - 阵列 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） 600V 36A 250W 底座安装 SP1
得捷: MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
艾睿: Trans MOSFET N-CH 600V 36A 11-Pin Case SP-1
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 36A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 7200pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Screw
引脚数 11
封装 SP-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册