APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G图片1
APTC90DAM60T1G概述

升压斩波超级结MOSFET功率模块 Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

底座安装 N 通道 900 V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1


得捷:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 59A 10-Pin Case SP-1


APTC90DAM60T1G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 462W Tc

漏源极电压Vds 900 V

输入电容Ciss 13600pF @100VVds

耗散功率Max 462W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC90DAM60T1G
型号: APTC90DAM60T1G
描述:升压斩波超级结MOSFET功率模块 Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台