APT30M19JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 130 A
极性 N-CH
耗散功率 700000 mW
输入电容 21.6 nF
栅电荷 975 nC
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 130 A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 21600pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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替代型号APT30M19JVR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT30M19JVR Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFN130N30 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT30M19JVR和IXFN130N30的区别 |