APTM50H14FT3G

APTM50H14FT3G图片1
APTM50H14FT3G图片2
APTM50H14FT3G图片3
APTM50H14FT3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208000 mW

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 3259pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTM50H14FT3G
型号: APTM50H14FT3G
描述:全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台