APT30M19JVFR

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APT30M19JVFR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 130 A

通道数 1

漏源极电阻 19 mΩ

耗散功率 700 W

阈值电压 2 V

输入电容 21.6 nF

栅电荷 975 nC

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

连续漏极电流Ids 130 A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 21600pF @25VVds

额定功率Max 700 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 700W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT30M19JVFR
描述:Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4Pin SOT-227

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