APTGT100A120D1G

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APTGT100A120D1G概述

1200 V 150 A 相臂 沟槽/场截止 IGBT3 模块 - D1

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 150A 520W Chassis Mount D1


得捷:
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 520000mW 7-Pin Case D1


富昌:
1200 V 150 A 相臂 沟槽/场截止 IGBT3 模块 - D1


APTGT100A120D1G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7nF @25V

额定功率Max 520 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 520000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 D1

外形尺寸

封装 D1

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTGT100A120D1G
型号: APTGT100A120D1G
描述:1200 V 150 A 相臂 沟槽/场截止 IGBT3 模块 - D1

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