APTC60SKM24CT1G

APTC60SKM24CT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 95A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 14400pF @25VVds

额定功率Max 462 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 462000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 10

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC60SKM24CT1G
型号: APTC60SKM24CT1G
描述:降压斩波超级结MOSFET的SiC二极管的菜刀 Buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode
替代型号APTC60SKM24CT1G
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