APTGF90DA60CT1G

APTGF90DA60CT1G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.3nF @25V

额定功率Max 416 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 416000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTGF90DA60CT1G
描述:升压斩波NPT IGBT斩波器的SiC二极管 Boost chopper NPT IGBT SiC Chopper diode

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