APTGT50DH170TG

APTGT50DH170TG中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 4.4nF @25V

额定功率Max 312 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 312000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTGT50DH170TG
描述:非对称 - 桥沟道+场站IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

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