APT8011JFLL

APT8011JFLL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 51.0 A

极性 N-CH

输入电容 9.48 nF

栅电荷 650 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 51.0 A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 9480pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 694000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT8011JFLL
型号: APT8011JFLL
描述:功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
替代型号APT8011JFLL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT8011JFLL

Microsemi 美高森美

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APT8011JFLL和APT8011JLL的区别

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