APTC60DHM24T3G

APTC60DHM24T3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 14400pF @25VVds

额定功率Max 462 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC60DHM24T3G
型号: APTC60DHM24T3G
描述:非对称桥超级结MOSFET功率模块 Asymmetrical Bridge Super Junction MOSFET Power Module

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台