SOT-227 N-CH 1000V 37A
Create an effective common drain amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 694000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 37.0 A
极性 N-CH
耗散功率 694 W
输入电容 9.75 nF
栅电荷 395 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 37.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 9750pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 694W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT10021JLL Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT10021JFLL 美高森美 | 完全替代 | APT10021JLL和APT10021JFLL的区别 |
APT10025JVR 美高森美 | 类似代替 | APT10021JLL和APT10025JVR的区别 |
IXFN36N100 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT10021JLL和IXFN36N100的区别 |