APT60GF120JRDQ3

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APT60GF120JRDQ3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 115 A

耗散功率 625000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.08nF @25V

额定功率Max 625 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT60GF120JRDQ3
型号: APT60GF120JRDQ3
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 149A 4Pin SOT-227

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