APTC90H12T1G

APTC90H12T1G概述

全 - 桥超级结MOSFET功率模块 Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module

Mosfet Array 4 N-Channel H-Bridge 900V 30A 250W Chassis Mount SP1


得捷:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1


贸泽:
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 30A 12-Pin Case SP-1


APTC90H12T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 30A

输入电容Ciss 6800pF @100VVds

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTC90H12T1G
描述:全 - 桥超级结MOSFET功率模块 Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module

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