APTC60DDAM45CT1G

APTC60DDAM45CT1G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 7200pF @25VVds

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC60DDAM45CT1G
型号: APTC60DDAM45CT1G
描述:双升压斩波超级结MOSFET功率模块 Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

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