APTGT100DU170TG

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APTGT100DU170TG中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 9nF @25V

额定功率Max 560 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 560000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTGT100DU170TG
型号: APTGT100DU170TG
描述:双共源沟道+场截止IGBT功率模块 Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module

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