APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 2254pF @25VVds

额定功率Max 156 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC80H29SCTG
型号: APTC80H29SCTG
描述:全 - 桥系列和碳化硅二极管并联超级结MOSFET功率模块 Full - Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module

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