ARF476FL

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ARF476FL概述

RF功率MOSFET N沟道PUSH - PULL PAIR RF POWER MOSFET N-CHANNEL PUSH - PULL PAIR

Easily amplify or switch electronic signals and electrical power in a circuit with this semiconductor-based RF amplifier from . Its maximum power dissipation is 910000 mW. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. Its maximum frequency is 150 MHz. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

ARF476FL中文资料参数规格
技术参数

频率 128 MHz

额定电流 10 A

耗散功率 910000 mW

上升时间 4.1 ns

输出功率 900 W

增益 16 dB

测试电流 15 mA

输入电容Ciss 780pF @50VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 910000 mW

额定电压 500 V

封装参数

引脚数 8

封装 ~0.16°C/W

外形尺寸

封装 ~0.16°C/W

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ARF476FL
型号: ARF476FL
描述:RF功率MOSFET N沟道PUSH - PULL PAIR RF POWER MOSFET N-CHANNEL PUSH - PULL PAIR

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