APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 1000 V

输入电容Ciss 4350pF @25VVds

额定功率Max 357 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM100H45FT3G
描述:全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module

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