APTGF150DH120G

APTGF150DH120G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 961 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 10.2nF @25V

额定功率Max 961 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 961000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 8

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTGF150DH120G
描述:非对称 - 桥NPT IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

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