APTC60DAM18CTG

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APTC60DAM18CTG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 833W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 143A

输入电容Ciss 28000pF @25VVds

耗散功率Max 833W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC60DAM18CTG
型号: APTC60DAM18CTG
描述:升压斩波的SiC二极管的正向超级结MOSFET功率模块 Boost chopper SiC FWD diode Super Junction MOSFET Power Module

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