APTM50DAM19G

APTM50DAM19G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1136W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 163A

输入电容Ciss 22400pF @25VVds

额定功率Max 1136 W

耗散功率Max 1136W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM50DAM19G
描述:升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

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