APTGT750U60D4G

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APTGT750U60D4G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 49nF @25V

额定功率Max 2300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2300000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 D-4

外形尺寸

封装 D-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTGT750U60D4G
型号: APTGT750U60D4G
描述:单开关沟道+场站IGBT功率模块 Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module

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