APTGT150DH170G

APTGT150DH170G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 13.5nF @25V

额定功率Max 890 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 890000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 8

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTGT150DH170G
描述:非对称 - 桥沟道+场站IGBT功率模块 Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

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