APTGL475DA120D3G

APTGL475DA120D3G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 24.6nF @25V

额定功率Max 2080 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2080000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 11

封装 D-3

外形尺寸

封装 D-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTGL475DA120D3G
型号: APTGL475DA120D3G
描述:升压斩波沟道+场站IGBT4电源模块 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power Module

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