APTM20DAM04G

APTM20DAM04G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1250W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 372A

上升时间 64 ns

输入电容Ciss 28900pF @25VVds

额定功率Max 1250 W

下降时间 116 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 5

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM20DAM04G
描述:升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

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