APTC60TDUM35PG

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APTC60TDUM35PG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 72A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 14000pF @25VVds

额定功率Max 416 W

下降时间 84 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 416000 mW

封装参数

引脚数 39

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC60TDUM35PG
型号: APTC60TDUM35PG
描述:三重双共源超级结MOSFET功率模块 Triple dual Common Source Super Junction MOSFET Power Module

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