非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - bridge MOSFET Power Module
MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 500V 99A 781W 底座安装 SP6
得捷: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
艾睿: Trans MOSFET N-CH 500V 99A 8-Pin Case SP-6
极性 N-CH
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 99A
输入电容Ciss 14000pF @25VVds
额定功率Max 781 W
安装方式 Screw
封装 SP-6
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册