APTM10DUM02G

APTM10DUM02G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 495A

上升时间 240 ns

输入电容Ciss 40000pF @25VVds

额定功率Max 1250 W

下降时间 160 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM10DUM02G
描述:双共源MOSFET功率模块 Dual Common Source MOSFET Power Module

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