APTM100A13DG

APTM100A13DG中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 1000 V

输入电容Ciss 15200pF @25VVds

额定功率Max 1250 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM100A13DG
描述:相桥臂带串联二极管的MOSFET功率模块 Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module

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