APTM100H18FG

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APTM100H18FG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 43A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 10400pF @25VVds

额定功率Max 780 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 780000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM100H18FG
描述:全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module

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