APTM100UM45DAG

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APTM100UM45DAG概述

单开关系列二极管的MOSFET功率模块 Single switch with Series diode MOSFET Power Module

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 5000000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.

APTM100UM45DAG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 5000 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 215A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 42700pF @25VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 5000W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 5

封装 SP-6

外形尺寸

高度 21.9 mm

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM100UM45DAG
描述:单开关系列二极管的MOSFET功率模块 Single switch with Series diode MOSFET Power Module

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