AUIRS2124STR

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AUIRS2124STR概述

高边 IGBT MOSFET 灌:500mA 拉:500mA

高端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC


立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:500mA 拉:500mA


艾睿:
Driver 600V 1-OUT High Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Driver 600V 1-OUT Hi Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC T/R


AUIRS2124STR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 80 ns

输出接口数 1

下降时间Max 200 ns

上升时间Max 200 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AUIRS2124STR
型号: AUIRS2124STR
描述:高边 IGBT MOSFET 灌:500mA 拉:500mA
替代型号AUIRS2124STR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AUIRS2124STR

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

AUIRS2124S

英飞凌

完全替代

AUIRS2124STR和AUIRS2124S的区别

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