P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 16-SOIC
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
欧时:
Infineon AUIRS2113STR
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A
e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10V至20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, WSOIC-16
艾睿:
Driver 600V 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 16-Pin SOIC W T/R
Chip1Stop:
Driver 600V 2.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 16-Pin SOIC W T/R
上升/下降时间 25ns, 15ns
输出接口数 2
输出电流 2.5 A
针脚数 16
耗散功率 1250 mW
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1250 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
宽度 7.6 mm
封装 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 HV DC-DC Converter, Embedded Charger, Oil Pump, Motor Inverter, Exhaust, HVAC Compressor
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
AUIRS2113STR Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRS2113SPBF 英飞凌 | 类似代替 | AUIRS2113STR和IRS2113SPBF的区别 |
AUIRS2113S 英飞凌 | 类似代替 | AUIRS2113STR和AUIRS2113S的区别 |