AUIRS2127STR参数规格_中文资料_数据手册PDF

AUIRS2127STR概述

高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

高端栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC

得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

贸泽:
Gate Drivers AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR

艾睿:
Over Current Protected Single Channel Driver

AUIRS2127STR中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出电流 290 mA

电源电压 12V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 PTC Heater, Solenoid Injection, Injection, Piezo Injection

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

AUIRS2127STR引脚图与封装图

在线购买AUIRS2127STR

型号： AUIRS2127STR

描述：高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA