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AUIRS20161S概述

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

High-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC

得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

AUIRS20161S中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 200 ns

产品系列 AUIRS20161S

电源电压 4.4V ~ 6.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AUIRS20161S

型号： AUIRS20161S

制造商： Infineon 英飞凌

描述：IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC