AD711KRZ-REEL7

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AD711KRZ-REEL7概述

IC OPAMP JFET 4MHz 8SOIC

J-FET 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
AD711KRZ-REEL7


贸泽:
Precision Amplifiers PREC HIGH Spd BIFET


艾睿:
If you need your circuit to amplify a voltage signal then this general purpose amplifier AD711KRZ-REEL7 OP amp from Analog Devices is perfect for you! Its maximum power dissipation is 500 mW. Its typical dual supply voltage is ±15 V, with a minimum of ±4.5 V and maximum of ±18 V. This op amp has a minimum operating temperature of 0 °C and a maximum of 70 °C. It has a single channel per chip. This device uses dual power supplies. This device is made with bifet technology.


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Op Amp Single High Speed Amplifier ±18V 8-Pin SOIC N T/R


罗切斯特:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC N T/R


Win Source:
IC OPAMP JFET 4MHZ 8SOIC


DeviceMart:
IC OPAMP BIFET PREC 25MA 8SOIC


AD711KRZ-REEL7中文资料参数规格
技术参数

供电电流 2.5 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 500 mW

共模抑制比 88 dB

输入电容 5.50 pF

转换速率 16.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz

输入阻抗 3.00 TΩ

输入补偿电压 200 µV

输入偏置电流 15 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

3dB带宽 4 MHz

耗散功率Max 500 mW

共模抑制比Min 76 dB

电源电压Max 36 V

电源电压Min 9 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 No

数据手册

AD711KRZ-REEL7引脚图与封装图
AD711KRZ-REEL7引脚图
AD711KRZ-REEL7封装图
AD711KRZ-REEL7电路图
AD711KRZ-REEL7封装焊盘图
在线购买AD711KRZ-REEL7
型号: AD711KRZ-REEL7
制造商: ADI 亚德诺
描述:IC OPAMP JFET 4MHz 8SOIC
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