静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器
SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb(512K x 16) 并联 55 ns 48-TFBGA(6x8)
得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
贸泽:
静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器
安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA
TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 512kx16bit; 2.7÷5.11V; 55ns; TFBGA48
Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA Tray
儒卓力:
**SRAM 512kx16 55NS TFBGA48 **
Win Source:
IC SRAM 8MBIT 55NS 48TFBGA
电源电压DC 2.70V min
工作电压 2.7V ~ 5.11V
存取时间 55 ns
内存容量 1000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 5.5V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TFBGA-48
封装 TFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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AS6C8016-55BIN Alliance Memory 联盟记忆 | 当前型号 | 当前型号 |
AS6C8016-55BINTR 联盟记忆 | 功能相似 | AS6C8016-55BIN和AS6C8016-55BINTR的区别 |