AS6C8016-55BIN

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AS6C8016-55BIN概述

静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb(512K x 16) 并联 55 ns 48-TFBGA(6x8)


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 512kx16bit; 2.7÷5.11V; 55ns; TFBGA48


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin TFBGA Tray


儒卓力:
**SRAM 512kx16 55NS TFBGA48 **


Win Source:
IC SRAM 8MBIT 55NS 48TFBGA


AS6C8016-55BIN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

工作电压 2.7V ~ 5.11V

存取时间 55 ns

内存容量 1000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS6C8016-55BIN引脚图与封装图
AS6C8016-55BIN引脚图
AS6C8016-55BIN封装图
AS6C8016-55BIN封装焊盘图
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型号: AS6C8016-55BIN
描述:静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器
替代型号AS6C8016-55BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS6C8016-55BIN

Alliance Memory 联盟记忆

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AS6C8016-55BINTR

联盟记忆

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AS6C8016-55BIN和AS6C8016-55BINTR的区别

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